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UPA650TT-E1-A |
6-WSOF | Renesas Electronics America | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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UPA650TT-E1-A参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 12V 6-WSOF 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：610pF @ 10V 功率 - 最大值：200mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 薄膜0402ZK180FBSTR 陶瓷电容器HDE152MBDEF0KR 圆形MS3120E24-61P 嵌入式 - 微处理MPC8572EVTATLE 嵌入式 - 微处理MPC859DSLZP50A 嵌入式 - 微处理MPC860SRVR50D4 Card EdgeACC22DRES-S734 Card EdgeABC30DRAH DC DC ConVE-B12-MU-F3 FET - 单TK15J60U(F) |
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